配查信官网 芯联集成发布全新碳化硅G2.0技术平台

11月16日配查信官网，芯联集成宣布正式发布全新碳化硅G2.0技术平台，采用了8英寸更先进制造技术，已达到全球领先水平。

据介绍，该技术平台通过器件结构与工艺制程的双重优化，实现“高效率、高功率密度、高可靠”核心目标，全面覆盖电驱与电源两大核心应用场景，可广泛应用新能源汽车主驱、车载电源及AI数据中心电源等广阔市场。

在电驱领域，芯联集成碳化硅G2.0电驱版凭借更低导通损耗与优异开关软度，功率密度提升20%，可显著增强新能源汽车主驱系统动力输出与能效表现，为整车续航提升提供关键支撑。

图片来源：芯联集成

在电源场景中，芯联集成碳化硅G2.0电源版针对性优化寄生电容设计，通过封装优化强化散热，开关损耗降低高达30%，兼具强化的动态可靠性设计，实现电源转换效率与系统功率密度大幅提升，完美适配SST、HVDC等AI数据中心电源及车载OBC电源需求。

资料显示，芯联集成成立于2018年，是一家专注于功率、传感和传输应用领域，提供模拟芯片及模块封装的代工服务的制造商。主要从事MEMS、IGBT、MOSFET、模拟ICMCU的研发、生产、销售，为汽车、新能源、工控家电等领域提供完整的一站式芯片系统代工方案。

11月12日，芯联集成旗下产业投资机构芯联资本宣布完成首期12.5亿元主基金募集。该支基金整体规模预计超15亿元，当前重点布局半导体上游(设备、材料和零部件）、设计公司以及下游人工智能、机器人和新能源等硬科技相关领域。

在财报表现方面，10月27日芯联集成发布了2025年第三季度财报，数据显示，第三季度公司实现营收19.27亿元，同比增长15.52%。受第三季度良好业绩带动，公司前三季度累计营业收入达54.22亿元，同比增长19.23%，实现毛利率3.97%，连续五个季度正毛利增长，盈利基本面持续夯实。

此外，据介绍，芯联集成自主研发的8英寸SiCMOSFET器件已送样欧美AI公司，这也标志着芯联集成在“新能源+AI”双赛道布局中取得关键突破。

（文/集邦化合物半导体 Niko 整理）

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